Модули SiC MOSFET QJD1210010, POWEREX модули полупроводниковые, автоматика, Киев, Украина, купить, Киев
- Минимальный заказ - 1 ед.;
- Предложение добавлено 13.01.2017;
- Уникальный идентификатор - 14068795;
- Количество просмотров - 109;
Описание товара
Модули Powerex на основе карбида кремния (SiC) предназначены для высокочастотных применений.
Особенности:
- Максимальная температура перехода, Tjmax= 200 oC
- Высокая скорость переключения
- Высокая удельная мощность
- Два отдельных ключа в одном модуле
Транзисторы на основе SiC обеспечивают беспрецендентное повышение эффективности преобразования и/или меньшие габариты, вес и стоимость системы за счет возможности работы на более высоких частотах. Данные транзисторы превосходят стандартные MOSFET по скорости переключения, при этом во многих применениях они позволяют снизить динамические потери до 50%.
Применение:
- Высокочастотные источники питания
- Инверторы
- и т.д.
Подобное повышение эффективности преобразования может быть достигнуто и в других применениях, где требуются высоковольтные ключи, обеспечивающие быструю коммутацию при низком уровне потерь. Высокая эффективность и низкий уровень динамических потерь SiC MOSFET позволяют создавать системы, параметры которых оптимизированы при частотах коммутации, в два-три раза превышающих частоты переключения кремниевых приборов.
Характеристики модулей SiC MOSFET QJD1210010, POWEREX модулей полупроводниковых, автоматика, Киев, Украина, купить
- — Бренд: PowerEx
Товары, похожие на Модули SiC MOSFET QJD1210010, POWEREX модули полупроводниковые, автоматика, Киев, Украина, купить
Заявленная компанией Дакпол, СП цена товара «Модули SiC MOSFET QJD1210010, POWEREX модули полупроводниковые, автоматика, Киев, Украина, купить» может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Дакпол, СП по указанным телефону или адресу электронной почты.