Модуль SiC MOSFET QJD1210011, POWEREX 100 А, 1200 В,, Киев
Описание товара
Модули Powerex на основе карбида кремния (SiC) предназначены для высокочастотных применений.
Особенности:
- Максимальная температура перехода, Tjmax= 200 oC
- Высокая скорость переключения
- Высокая удельная мощность
- Два отдельных ключа в одном модуле
Транзисторы на основе SiC обеспечивают беспрецендентное повышение эффективности преобразования и/или меньшие габариты, вес и стоимость системы за счет возможности работы на более высоких частотах. Данные транзисторы превосходят стандартные MOSFET по скорости переключения, при этом во многих применениях они позволяют снизить динамические потери до 50%.
Применение:
- Высокочастотные источники питания
- Инверторы
- и т.д.
Подобное повышение эффективности преобразования может быть достигнуто и в других применениях, где требуются высоковольтные ключи, обеспечивающие быструю коммутацию при низком уровне потерь. Высокая эффективность и низкий уровень динамических потерь SiC MOSFET позволяют создавать системы, параметры которых оптимизированы при частотах коммутации, в два-три раза превышающих частоты переключения кремниевых приборов.
Характеристики модуля SiC MOSFET QJD1210011, POWEREX 100 А, 1200 В,
- — Бренд: PowerEx
Товары, похожие на Модуль SiC MOSFET QJD1210011, POWEREX 100 А, 1200 В,
Заявленная компанией Дакпол, СП цена товара «Модуль SiC MOSFET QJD1210011, POWEREX 100 А, 1200 В,» может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Дакпол, СП по указанным телефону или адресу электронной почты.