SEMiX904GB126HDs — IGBT модуль Semikron, Киев
Описание товара
SEMiX904GB126HDs - электроизолированный V-IGBT модуль Semikron.
SEMiX904GB126HDs — IGBT модуль SEMIKRONИмеет следующие основные параметры:
• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =821A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=600A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.7V;
• потери энергии при включении — Eon=60mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=88mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.05K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =752A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=1.6V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=75mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.081K/W.
• корпус — SEMiX 4s.
semix904gb126hds.pdf
Товары, похожие на SEMiX904GB126HDs — IGBT модуль Semikron
Заявленная компанией Техносервиспривод цена товара «SEMiX904GB126HDs — IGBT модуль Semikron» (1 €) может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Техносервиспривод по указанным телефону или адресу электронной почты.