SEMiX202GB12Vs — IGBT модуль Semikron, Киев
Описание товара
SEMiX202GB12Vs - электроизолированный V-IGBT модуль Semikron.
SEMiX202GB12Vs — IGBT модуль SEMIKRONИмеет следующие основные параметры:
• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =310A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=200A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.75V;
• потери энергии при включении — Eon=24.9mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=24.1mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.14K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =229A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2.2V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=14.5mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.26K/W.
• корпус — SEMiX 2s.
semix202gb12vs.pdf
Товары, похожие на SEMiX202GB12Vs — IGBT модуль Semikron
Заявленная компанией Техносервиспривод цена товара «SEMiX202GB12Vs — IGBT модуль Semikron» (1 $) может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Техносервиспривод по указанным телефону или адресу электронной почты.