SEMIX352GB128Ds — IGBT модуль Semikron, Киев

SEMIX352GB128Ds - электроизолированный V-IGBT модуль Semikron.

Имеет следующие основные параметры:

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =377A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=200A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.9V;
• потери энергии при включении — Eon=20mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=21mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.083K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =297A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=11mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.15K/W.
• корпус — SEMiX 2s.