SEMiX452GB126HDs — IGBT модуль Semikron, Киев
Описание товара
SEMiX452GB126HDs - электроизолированный V-IGBT модуль Semikron.
SEMiX452GB126HDs — IGBT модуль SEMIKRONИмеет следующие основные параметры:
• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =455A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=300A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.7V;
• потери энергии при включении — Eon=35mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=45mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.083K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =394A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=1.6V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=33mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.15K/W.
• корпус — SEMiX 2s.
Товары, похожие на SEMiX452GB126HDs — IGBT модуль Semikron
Заявленная компанией Техносервиспривод цена товара «SEMiX452GB126HDs — IGBT модуль Semikron» ( 1 € ) может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Техносервиспривод по указанным телефону или адресу электронной почты.