SKM100GB125DN — IGBT модуль Semikron, Киев

SKM100GB125DN - электроизолированный IGBT модуль Semikron.

Имеет следующие основные параметры:

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =100A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=75A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=3.3V;
• потери энергии при включении — Eon=9.0mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=3.5mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.18K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =95A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2.06V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=4.0mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.5K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.