SKM75GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT, Киев

Цена: 1 грн.
за 1 шт

  • Минимальный заказ - 1 шт;
  • Дата добавления 06.09.2013;
  • Уникальный идентификатор - 6194143;
  • Предложение было просмотрено - 92;
Выбираете, где выгоднее заказать услугу или купить товар? “SKM75GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT”, 1 грн.. В данный момент предложение в наличии.

Описание товара

На складе имеются образцы новых силовых модулей Semikron SKM75GB12V с кристаллами V-IGBT.

В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4, семейство SEMITRANS теперь может комплектоваться 1200 В кристаллами V-IGBT.

**Основные положения:**

• В основе новых чипов 1200V Trench технология;
• Силовые модули с V-IGBT чипом имеют в конце маркировки 12V;
• Размер чипов аналогичен IGBT4;
• Используются одинаковые типы диодов – CAL 4.

**Особенности применения V-IGBT:**

• V-IGBT имеют более высокую скорость коммутации, чем IGBT4 или SPT при одинаковом резисторе затвора RG (большее значение di/dton);
• Потери включения Eon для V-IGBT (при аналогичном и меньшем RG) ниже чем у IGBT4;
• Скорость коммутации V-IGBT может быть снижена при использовании большего значения RGon. При этом характер коммутации становится аналогичен IGBT4;
• Поведение при выключении у чипов различного типа аналогично
• Потери выключения Eoff аналогичны (вне зависимости от величины RG);
• В отличие от IGBT4, du/dt и di/dtoff для V-IGBT уменьшаются с ростом RGoff;
• RG влияет на потери обратного восстановления Err;
• Увеличение RG приводит к снижению Err;
• Потери обратного восстановления модулей с диодами CAL4 аналогичны, независимо от типа IGBT (V-IGBT или IGBT4)
• Заряд затвора QG у V-IGBT на 90% больше чем у IGBT4 и на 20% больше чем у IGBT SPT (этот факт необходимо учитывать при выборе драйвера и расчете мощности потерь схемы управления);
• V-IGBT и IGBT4 имеют одинаковые ограничения ОБР / SOA (Safe Operating Area);
• Уровень перенапряжения при большем значении VDC для V-IGBT ниже, чем у IGBT4;
• Максимальный ток инвертора с V-IGBT аналогичен IGBT4 (диаграмма 1).

**Технические данные:**

• номинальное напряжение U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов- IC@ (TC=25ºC) =121A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — Icnom=75A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1,85V;
• потери энергии при включении — Eon=6,7mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=7,1mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0,38K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) = =97A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) -VF=2,17 V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=4.2mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0,58 K/W.
• корпус- SEMITRANS 2.

Спецификация
skm75gb12v_datasheet.pdf

Обращаем ваше внимание на то, что торговая площадка BizOrg.su носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой.
Заявленная компанией Техносервиспривод цена товара «SKM75GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT» (1 грн.) может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Техносервиспривод по указанным телефону или адресу электронной почты.
Часы работы:
SKM75GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT