SiC MOSFET модуль QJD1210006, POWEREX, Киев
Описание товара
SiC MOSFET модуль QJD1210006, POWEREX 100 А, 1200 В Модуль на основе карбида кремния. Подробное описание - ниже, см. раздел "Спецификация"
Модули Powerex на основе карбида кремния (SiC) предназначены для высокочастотных применений.
Особенности:
- Максимальная температура перехода, Tjmax = 200 oC
- Высокая скорость переключения
- Высокая удельная мощность
Транзисторы на основе SiC обеспечивают беспрецендентное повышение эффективности преобразования и/или меньшие габариты, вес и стоимость системы за счет возможности работы на более высоких частотах. Данные транзисторы превосходят стандартные MOSFET по скорости переключения, при этом во многих применениях они позволяют снизить динамические потери до 50%.
Применение:
- Высокочастотные источники питания
- Инверторы
- и т.д.
Подобное повышение эффективности преобразования может быть достигнуто и в других применениях, где требуются высоковольтные ключи, обеспечивающие быструю коммутацию при низком уровне потерь. Высокая эффективность и низкий уровень динамических потерь SiC MOSFET позволяют создавать системы, параметры которых оптимизированы при частотах коммутации, в два-три раза превышающих частоты переключения кремниевых приборов.
Спецификацияqjd1210006.pdf
Характеристики siC MOSFET модуля QJD1210006, POWEREX
- — Страна производитель: США
Товары, похожие на SiC MOSFET модуль QJD1210006, POWEREX
Заявленная компанией ООО “СП Дакпол“ цена товара «SiC MOSFET модуль QJD1210006, POWEREX» может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании ООО “СП Дакпол“ по указанным телефону или адресу электронной почты.