Модуль SiC MOSFET QJD1210006, POWEREX, полупроводники, транзисторы, Киев, Украина, Киев
- Минимальный заказ - 1 ед.;
- Дата добавления 13.01.2017;
- Уникальный код - 14068803;
- Количество просмотров - 51;
Описание товара
Особенности:
- Максимальная температура перехода, Tjmax= 200 oC
- Высокая скорость переключения
- Высокая удельная мощность
Транзисторы на основе SiC обеспечивают беспрецендентное повышение эффективности преобразования и/или меньшие габариты, вес и стоимость системы за счет возможности работы на более высоких частотах. Данные транзисторы превосходят стандартные MOSFET по скорости переключения, при этом во многих применениях они позволяют снизить динамические потери до 50%.
Применение:
- Высокочастотные источники питания
- Инверторы
- и т.д.
Подобное повышение эффективности преобразования может быть достигнуто и в других применениях, где требуются высоковольтные ключи, обеспечивающие быструю коммутацию при низком уровне потерь. Высокая эффективность и низкий уровень динамических потерь SiC MOSFET позволяют создавать системы, параметры которых оптимизированы при частотах коммутации, в два-три раза превышающих частоты переключения кремниевых приборов.
Характеристики модуля SiC MOSFET QJD1210006, POWEREX, полупроводники, транзисторы, Киев, Украина
- — Бренд: PowerEx
Товары, похожие на Модуль SiC MOSFET QJD1210006, POWEREX, полупроводники, транзисторы, Киев, Украина
Заявленная компанией Дакпол, СП цена товара «Модуль SiC MOSFET QJD1210006, POWEREX, полупроводники, транзисторы, Киев, Украина» может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Дакпол, СП по указанным телефону или адресу электронной почты.