Модуль IGBT Semikron SKM100GB125DN, Киев
Описание товара
SKM100GB125DN - электроизолированный IGBT модуль Semikron.
SKM100GB125DN— IGBT модуль SEMIKRONИмеет следующие основные параметры:
• номинальное напряжение — U=1200 V
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25º C) =100A
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=75A
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=3.3V
• потери энергии при включении — Eon=9.0mJ
• потери энергии на выключение — Eoff=3.5mJ
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.18K/W
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25º C) =95A
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2.06V
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=4.0mJ
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.5K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.
Характеристики модуля IGBT Semikron SKM100GB125DN
- — Бренд: SEMIKRON
Товары, похожие на Модуль IGBT Semikron SKM100GB125DN
Заявленная компанией Техносервиспривод, ООО НПП цена товара «Модуль IGBT Semikron SKM100GB125DN» может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Техносервиспривод, ООО НПП по указанным телефону или адресу электронной почты.