Модуль IGBT Semikron SKM75GB12T4, Киев
Описание товара
SKM75GB12T4 - электроизолированный IGBT модуль Semikron.
SKM75GB12T4 — IGBT модуль SEMIKRONИмеет следующие основные параметры:
• номинальное напряжение — U=1200 V
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25º C) =115A
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=75A
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.85V
• потери энергии при включении — Eon=11.0mJ
• потери энергии на выключение — Eoff=6.9mJ
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.38K/W
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25º C) =97A
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2.17V
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=4.7mJ
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.58K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.
Характеристики модуля IGBT Semikron SKM75GB12T4
- — Бренд: SEMIKRON
Товары, похожие на Модуль IGBT Semikron SKM75GB12T4
Заявленная компанией Техносервиспривод, ООО НПП цена товара «Модуль IGBT Semikron SKM75GB12T4» может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Техносервиспривод, ООО НПП по указанным телефону или адресу электронной почты.