Карбид кремния зеленый Шлифматериалы карбида кремния зеленого представлены в виде шлифзерна шлифпорошковмикрошлифпорошков.Карбид кремния зеленый применяется для шлифования вязкиххрупких и твердых материалов.для полировки и доводки деталей маши, Киев

Шлифматериалы карбида кремния зеленого представлены в виде шлифзерна ,
шлифпорошков,
микрошлифпорошков.
Карбид кремния зеленый применяется для шлифования вязких,хрупких и твердых материалов.,для полировки и доводки деталей машин.
Предлагается микрошлифпорошок 24А М 50-В, ОСТ 2 МТ 71-5-84,производства Пикалевского ПО ГЛИНОЗЕМ
Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, искусственные драгоценные камни.
Из-за редкости нахождения в природе муассанита, карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600—2500 °C:
Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или черный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала.
Кристаллы карбида кремния, полученные благодаря процессу Лели
Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого процесса Лели, в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2×2 см. Этот процесс дает высококачественные монокристаллы, в основном состоящие из 6H-SiC фазы (это связано с высокой температурой роста). Улучшенный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях дает еще большие монокристаллы до 10 см в диаметре. Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров.
Чистый карбид кремния также может быть получен путем термического разложения полимера полиметилсилана (SiCH3)n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запеканием в керамику.
Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений. Высокая температура (1500—2000 °C) приводит к разложения карбида кремния. Кремний как более летучий элемент уходит из приповерхностных слоёв оставляя монослойный или многослойный графен, нижние из которых сильно связаны с объёмным кристалом. В качестве исходного материала используют монокристаллы 6H-SiC(0001), на поверхности которых формировались террасы графена в результате термообработки с размерами около 1 микрона, разделённые областями с несколькими слоями