Инжиниринг - Метод Киропулоса, Харьков

Метод Киропулоса позволяет выращивать крупные кристаллы сапфира любой кристаллографической ориентации с предельно низкой плотностью дислокаций, менее 1000 см^-2.

• метод Киропулоса, как и метод Чохральского относится к методам свободного выращивания, когда растущий кристалл не ограничен стенками тигля;
• является высокоэффективным методом, позволяющим получать объемные кристаллы оптического качества (1 и 2 категории) весом несколько десятков килограмм;
• благодаря высокому вакууму в ростовой камере происходит эффективное испарение примесей из расплава, благодаря чему выращенные кристаллы обладают высокой химической чистотой 99,996%.

Монокристаллы выращиваются непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры, при малых градиентах температуры, что дает возможность выращивать кристаллы с малой плотностью дислокаций.